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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
13.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
77
Intorno -114% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
36
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2971
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112S6BFR6C
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
UMAX Technology 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
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