RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
23.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
18.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
77
Rund um -166% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
23.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
18.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
4208
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link