RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
23.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
18.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
77
Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
23.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
4208
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link