RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
23.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
18.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
77
Por volta de -166% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
23.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
18.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
4208
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link