RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
77
Rund um -126% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.6
3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
2,622.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
8.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
8.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2079
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link