RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
77
Wokół strony -126% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.6
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
8.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2079
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link