RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
64
77
Rund um -20% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
2,622.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
64
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
8.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2197
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905458-020.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX3M4A1866C9 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link