RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
77
Rund um -97% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
11.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2264
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link