RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
25
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR5
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
12.5
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3419
2925
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link