Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Puntuación global
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    24 left arrow 25
    En -4% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    16 left arrow 13.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.5 left arrow 12.1
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR5 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    25 left arrow 24
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.4 left arrow 16.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    12.1 left arrow 12.5
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    no data / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    3419 left arrow 2925
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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