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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16- 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16- 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16- 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
14
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16- 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
38
Rund um -52% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16- 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
38
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
14.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
8.7
Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
2373
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Frequency (Mhz) *
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