RAM-Vergleich Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16- 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16- 4GB

Gesamtnote

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

15.5 14

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

12.0 8.7

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

25600 10600

Rund um 2.42% höhere Bandbreite

Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16- 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

25 38

Rund um -52% geringere Latenzzeit

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16- 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2283 2373

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns