Comparación de la memoria RAM Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16- 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16- 4GB

Puntuación global

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

15.5 14

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

12.0 8.7

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

25600 10600

En 2.42% mayor ancho de banda

Razones a tener en cuenta
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16- 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

25 38

En -52% menor latencia

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16- 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2283 2373

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns