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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16- 4GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16- 4GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16- 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
14
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42% bande passante supérieure
Raisons de considérer
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16- 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
38
Autour de -52% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16- 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR3
Latence dans PassMark, ns
38
25
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
10600
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
2373
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16- 4GB Comparaison des RAM
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G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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