Comparação RAM Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16- 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16- 4GB

Pontuação geral

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

15.5 14

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

12.0 8.7

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

25600 10600

Por volta de 2.42% maior largura de banda

Razões a considerar
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16- 4GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

25 38

Por volta de -52% menor latência

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16- 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2283 2373

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns