SK Hynix DMT351E6CFR8C-H9 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

SK Hynix DMT351E6CFR8C-H9 4GB vs Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Gesamtnote
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SK Hynix DMT351E6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix DMT351E6CFR8C-H9 4GB

Gesamtnote
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Unterschiede

SK Hynix DMT351E6CFR8C-H9 4GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix DMT351E6CFR8C-H9 4GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    43 left arrow 69
    Rund um -60% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.9 left arrow 6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.6 left arrow 2.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 10600
    Rund um 1.21 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix DMT351E6CFR8C-H9 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    69 left arrow 43
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    6.0 left arrow 14.9
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2.9 left arrow 9.6
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    844 left arrow 2506
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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