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SK Hynix DMT351E6CFR8C-H9 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

SK Hynix DMT351E6CFR8C-H9 4GB vs Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

総合得点
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SK Hynix DMT351E6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix DMT351E6CFR8C-H9 4GB

総合得点
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix DMT351E6CFR8C-H9 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix DMT351E6CFR8C-H9 4GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB 考慮すべき理由
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    43 left arrow 69
    周辺 -60% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.9 left arrow 6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.6 left arrow 2.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix DMT351E6CFR8C-H9 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    69 left arrow 43
  • 読み出し速度、GB/s
    6.0 left arrow 14.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    2.9 left arrow 9.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    844 left arrow 2506

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