SK Hynix DMT351E6CFR8C-H9 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

SK Hynix DMT351E6CFR8C-H9 4GB против Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix DMT351E6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix DMT351E6CFR8C-H9 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    43 left arrow 69
    Около -60% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    14.9 left arrow 6
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.6 left arrow 2.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    12800 left arrow 10600
    Около 1.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
SK Hynix DMT351E6CFR8C-H9 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    69 left arrow 43
  • Скорость чтения, Гб/сек
    6.0 left arrow 14.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    2.9 left arrow 9.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    844 left arrow 2506
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения