SK Hynix DMT351E6CFR8C-H9 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

SK Hynix DMT351E6CFR8C-H9 4GB vs Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Puntuación global
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SK Hynix DMT351E6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix DMT351E6CFR8C-H9 4GB

Puntuación global
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    43 left arrow 69
    En -60% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    14.9 left arrow 6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.6 left arrow 2.9
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 10600
    En 1.21 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix DMT351E6CFR8C-H9 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    69 left arrow 43
  • Velocidad de lectura, GB/s
    6.0 left arrow 14.9
  • Velocidad de escritura, GB/s
    2.9 left arrow 9.6
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    844 left arrow 2506
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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