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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,013.5
1,906.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
66
68
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
68
66
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,402.8
4,323.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,013.5
1,906.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
6400
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
701
703
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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