SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB

Note globale
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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Note globale
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Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    4 left arrow 4
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    2,013.5 left arrow 1,906.1
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    66 left arrow 68
    Autour de -3% latence réduite

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latence dans PassMark, ns
    68 left arrow 66
  • Vitesse de lecture, GB/s
    4,402.8 left arrow 4,323.0
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    2,013.5 left arrow 1,906.1
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Description
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    701 left arrow 703
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons