SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    4 left arrow 4
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    2,013.5 left arrow 1,906.1
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    66 left arrow 68
    Wokół strony -3% niższe opóźnienia

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR2
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    68 left arrow 66
  • Prędkość odczytu, GB/s
    4,402.8 left arrow 4,323.0
  • Prędkość zapisu, GB/s
    2,013.5 left arrow 1,906.1
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Opis
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    701 left arrow 703
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania