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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
総合得点
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
総合得点
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,013.5
1,906.1
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
66
68
周辺 -3% 低遅延
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR2
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
68
66
読み出し速度、GB/s
4,402.8
4,323.0
書き込み速度、GB/秒
2,013.5
1,906.1
メモリ帯域幅、mbps
6400
6400
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
701
703
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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