RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gesamtnote
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
50
Rund um -150% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.2
1,457.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,757.3
19.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,457.4
15.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
557
3473
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link