takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

总分
star star star star star
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

总分
star star star star star
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    3 left arrow 19.7
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    20 left arrow 50
    左右 -150% 更低的延时
  • 更快的写入速度,GB/s
    15.2 left arrow 1,457.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    50 left arrow 20
  • 读取速度,GB/s
    3,757.3 left arrow 19.7
  • 写入速度,GB/s
    1,457.4 left arrow 15.2
  • 内存带宽,mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    557 left arrow 3473
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较