RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Comparar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Pontuação geral
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
50
Por volta de -150% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.2
1,457.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
20
Velocidade de leitura, GB/s
3,757.3
19.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,457.4
15.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
557
3473
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparações de RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link