RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
50
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
20
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3473
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link