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Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Vergleichen Sie
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
33
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR5
Latenzzeit in PassMark, ns
33
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
13.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.2
12.1
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
no data / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
3419
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