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Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
总分
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
13.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
33
左右 -32% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.1
10.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR5
PassMark中的延时,ns
33
25
读取速度,GB/s
14.7
13.4
写入速度,GB/s
10.2
12.1
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
no data / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3419
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
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