Comparación de la memoria RAM Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Puntuación global

Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

14.7 13.4

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

21300 19200

En 1.11% mayor ancho de banda

Razones a tener en cuenta
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

25 33

En -32% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s

12.1 10.2

Valor medio en las pruebas

Lista completa de especificaciones técnicas

Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
Tiempos / Velocidad del reloj

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz no data / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2764 3419

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns