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Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Comparez
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Note globale
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
33
Autour de -32% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR5
Latence dans PassMark, ns
33
25
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
13.4
Vitesse d'écriture, GB/s
10.2
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
19200
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
no data / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3419
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Comparaison des RAM
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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