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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
36
En 3% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
7.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
36
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
9.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.9
7.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
19200
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 21
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2126
2220
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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