RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB против Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
36
Около 3% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.9
7.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
36
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
9.8
Скорость записи, Гб/сек
7.9
7.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 21
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2126
2220
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link