Comparação RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB

Pontuação geral

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

35 36

Por volta de 3% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

7.9 7.2

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB

Maior largura de banda de memória, mbps

19200 17000

Por volta de 1.13 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 21
Tempos / Velocidade do relógio

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2126 2220

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns