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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Kingston 9965413-028.A01LF 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB vs Kingston 9965413-028.A01LF 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Puntuación global
Kingston 9965413-028.A01LF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
70
En 34% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
4.5
4.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965413-028.A01LF 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5.7
4.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Kingston 9965413-028.A01LF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
46
70
Velocidad de lectura, GB/s
4.8
5.7
Velocidad de escritura, GB/s
4.5
4.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1046
1043
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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