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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Kingston 9965413-028.A01LF 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB vs Kingston 9965413-028.A01LF 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Note globale
Kingston 9965413-028.A01LF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
70
Autour de 34% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
4.5
4.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9965413-028.A01LF 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5.7
4.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Kingston 9965413-028.A01LF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
46
70
Vitesse de lecture, GB/s
4.8
5.7
Vitesse d'écriture, GB/s
4.5
4.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
10600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1046
1043
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
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Kingston 9965413-028.A01LF 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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