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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Kingston 9965413-028.A01LF 4GB
比較する
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB vs Kingston 9965413-028.A01LF 4GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
総合得点
Kingston 9965413-028.A01LF 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
46
70
周辺 34% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
4.5
4.2
テスト平均値
考慮すべき理由
Kingston 9965413-028.A01LF 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
5.7
4.8
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Kingston 9965413-028.A01LF 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
70
読み出し速度、GB/s
4.8
5.7
書き込み速度、GB/秒
4.5
4.2
メモリ帯域幅、mbps
10600
10600
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1046
1043
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