RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Kingston 9965413-028.A01LF 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB vs Kingston 9965413-028.A01LF 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Gesamtnote
Kingston 9965413-028.A01LF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
70
Rund um 34% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.5
4.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965413-028.A01LF 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5.7
4.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Kingston 9965413-028.A01LF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
46
70
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4.8
5.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.5
4.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
10600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1046
1043
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Kingston 9965413-028.A01LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A
Kingston 9965413-028.A01LF 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link