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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Kingston 9965413-028.A01LF 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB vs Kingston 9965413-028.A01LF 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Gesamtnote
Kingston 9965413-028.A01LF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
70
Rund um 34% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.5
4.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965413-028.A01LF 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5.7
4.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Kingston 9965413-028.A01LF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
46
70
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4.8
5.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.5
4.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
10600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1046
1043
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