Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Kingston 9965413-028.A01LF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB против Kingston 9965413-028.A01LF 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Kingston 9965413-028.A01LF 4GB

Kingston 9965413-028.A01LF 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    46 left arrow 70
    Около 34% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    4.5 left arrow 4.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость чтения
    5.7 left arrow 4.8
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Kingston 9965413-028.A01LF 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    46 left arrow 70
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4.8 left arrow 5.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    4.5 left arrow 4.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 10600
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1046 left arrow 1043
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения