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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
30
En -11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.7
8.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.4
5.6
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
30
27
Velocidad de lectura, GB/s
8.8
10.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.6
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1344
1444
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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