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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

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相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 30
    周辺 -11% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    10.7 left arrow 8.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.4 left arrow 5.6
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    30 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    8.8 left arrow 10.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.6 left arrow 7.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1344 left arrow 1444

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