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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
30
周辺 -11% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
10.7
8.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
7.4
5.6
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
30
27
読み出し速度、GB/s
8.8
10.7
書き込み速度、GB/秒
5.6
7.4
メモリ帯域幅、mbps
10600
10600
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1344
1444
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