RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
30
Rund um -11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.7
8.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
5.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
30
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.8
10.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.6
7.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
10600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1344
1444
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB RAM-Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston FQ453-80003 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link