Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    27 left arrow 30
    Около -11% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    10.7 left arrow 8.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    7.4 left arrow 5.6
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    30 left arrow 27
  • Скорость чтения, Гб/сек
    8.8 left arrow 10.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    5.6 left arrow 7.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 10600
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1344 left arrow 1444
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения