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Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Compara
Mushkin 991586 2GB vs Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Puntuación global
Mushkin 991586 2GB
Puntuación global
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Mushkin 991586 2GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
6.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
26
En -8% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
24
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.9
6.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2156
2168
Mushkin 991586 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Mushkin 999015 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338C
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
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