RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Compara
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Puntuación global
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
19.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
92
En -241% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.0
1,266.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
92
27
Velocidad de lectura, GB/s
2,105.4
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,266.1
16.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
339
3909
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link