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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
比较
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
总分
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
总分
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
19.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
92
左右 -241% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.0
1,266.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
92
27
读取速度,GB/s
2,105.4
19.6
写入速度,GB/s
1,266.1
16.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
339
3909
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
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