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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Puntuación global
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Puntuación global
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    40 left arrow 44
    En 9% menor latencia
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13 left arrow 12.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.2 left arrow 7.8
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    40 left arrow 44
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.3 left arrow 13.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.8 left arrow 8.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1806 left arrow 2069

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