RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
44
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
40
44
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
12800
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1806
2069
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link