RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Note globale
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
44
Autour de 9% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
40
44
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
13.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
12800
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1806
2069
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparaison des RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link