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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Puntuación global
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Puntuación global
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Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    2 left arrow 16
    Valor medio en las pruebas
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.4 left arrow 1,519.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 3200
    En 8 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    46 left arrow 46
  • Velocidad de lectura, GB/s
    2,909.8 left arrow 16.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,519.2 left arrow 12.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    3200 left arrow 25600
Other
  • Descripción
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    241 left arrow 2660

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Super Talent F21UB8GS 8GB
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Memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
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Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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Memoria RAM
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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