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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Pontuação geral
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Pontuação geral
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Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    2 left arrow 16
    Valor médio nos testes
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Razões a considerar
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Relatar um erro
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    12.4 left arrow 1,519.2
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    25600 left arrow 3200
    Por volta de 8 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    46 left arrow 46
  • Velocidade de leitura, GB/s
    2,909.8 left arrow 16.0
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,519.2 left arrow 12.4
  • Largura de banda de memória, mbps
    3200 left arrow 25600
Other
  • Descrição
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Tempos / Velocidade do relógio
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    241 left arrow 2660

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM

Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Comparações de RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
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Memória RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Memória RAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Memória RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Memória RAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Memória RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Memória RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Memória RAM
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Memória RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Memória RAM
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
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Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Memória RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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